SLM2103S是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低压侧参考输出通道。
专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600v。
特征
设计用于引导操作的浮动通道
完全运行至+600 V
耐受负瞬态电压,dV/dt
闸门驱动电源范围为10 V至20 V
欠压锁定
3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
两个信道的匹配传播延迟
内部设定死区时间
与HIN输入同相的高压侧输出
低端输出与LIN输入异相
符合RoHS标准
SOIC-8和PDIP-8封装
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