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GaAs的湿法蚀刻和光刻

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.80 MB | 2022-06-29

木南hlkn

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本文报道了InGaP/GaAsNPNHBTs在喷雾湿化学蚀刻过程中修复光刻胶粘附失败的实验结果。我们确定了几个可能影响粘附性的因素，并采用实验设计(DOE)方法研究了所选因素的影响和相互作用。最显著的粘附改善是在光刻胶涂层之前加入天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂层处理还改变了（100）砷化镓的湿蚀刻轮廓，使反应限制蚀刻与未经表面处理的晶片相比更具各向同性；轮廓在[011‘]和[011]方向
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