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肖特基势垒二极管及制造方法
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2011-03-09
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一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，
由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚眈亚胶层等，故
不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，
不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分
的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n
型及n+ 型离子注入区域形成动作区域，不再需要
设置台面及聚眈亚胶层，可实现化合物半导体的平
面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于
可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可
提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻
GaAs ，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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