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N 沟道 30V,0.87 mΩ、300A 逻辑电平 MOSFET,采用 SOT1023A 增强型封装,适用于 UL2595,采用 NextPowerS3 Schottky-Plus 技术-PSMN0R9-30ULD

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:263.29KB | 2023-02-21

刘涛

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N 沟道 30 V、0.87 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET,采用 SOT1023A 增强型封装,适用于 UL2595,采用 NextPowerS3 Schottky-Plus 技术-PSMN0R9-30ULD

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