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SI4606双N+P沟道增强功率MOSFET规格书
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2023-07-05
akdok
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一般说明
SI4606采用先进的沟槽技术，以提供优良的活性氧（导通），低栅极电荷栅极电压低至4.5V的操作。该装置适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
深圳市奥科迪科技有限公司
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