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NCEP85T14 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET规格书

消耗积分:3 | 格式:pdf | 大小:0.38 MB | 2025-03-18

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NCEP85T14采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于Ros(oN)和Qg的组合极低，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

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