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WSD8823DN22 P DFN2X2-6L -20V -3.

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:648KB | 2017-07-28

林小辉

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WSD8823DN22 P DFN2X2-6L -20V -3.4A

　　General Description

　　WSD8823DN22 combines a P-Channel enhancement mode power MOSFET which is produced with high cell density and DMOS trench technology and a low forward voltage schottky diode. the tiny and thin outline saves PCB consumption.

　　Applications z Bidirectional blocking switch; z DC-DC conversion applications; z Li-battery charging;
WSD8823DN22 P DFN2X2-6L -20V -3.

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