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–20V P沟道FemtoFET™ MOSFET CSD25501F3数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.4MB | 2024-03-26

张玉珍

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　　此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

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