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碳化硅MOSFET的工作：挑战和设计建议
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碳化硅MOSFET的工作：挑战和设计建议
对于大功率应用，如电网转换、电动汽车或家用电器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有许多优点，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的通态电阻。然而，SiC MOSFET都有他们自己的担忧的问题，包括耐用性、可靠性，在高频响，及故障处理。
对于设计者来说，成功应用碳化硅MOSFET的关键是要深入了解碳化硅MOSFET独特的操作特性及其对设计的影响。本文将提供这方面的见解，以及实现建议和解决方案示例。
Why SiC MOSFETs
To appreciate the capabilities of SiC MOSFETs it’s useful to compare them to their Si counterparts. SiC devices can block 10x more voltage than silicon， have a higher current density， can transition between the on and off states 10x faster， and have lower on-state resistance. For example， a 900 volt SiC MOSFET can provide the same on-state resistance as Si MOSFETs in a chip size 35x smaller （Figure 1）.
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