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IGBT器件封装结构对并联芯片开通电流的影响

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:4.71 MB | 2018-01-07

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 　　对于压接式IGBT器件，封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致，使部分芯片在开关瞬态过程中的电流过冲太大，从而降低了开通性能。采用寄生参数提取、电路建模仿真以及实验验证的方法，首先在压接式IGBT器件各并联芯片驱动回路参数一致的条件下，研究了发射极凸台布局对并联芯片开通电流一致性的影响。其次，在发射极凸台布局完全对称的情况下，研究了栅极PCB板不对称布局对各并联芯片开通电流一致性的影响。最后，提出了一种可以改善各并联芯片开通电流一致性的双针+双层PCB板的驱动结构，并分析了该结构的均流效果。
IGBT器件封装结构对并联芯片开通电流的影响
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