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PSMN1RO-30YLC N沟道30V 1.15 mΩ逻辑电平MOSFET规格书
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2025-02-13
鼠爱米
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逻辑电平增强模式N沟道MOSFET，采用LFPAK封装。本产品设计 并有资格用于各种工业、通信和家用设备。 2. 特点和优势 • 高可靠性电源 SO8 封装，符合 175°C 标准 • 针对 4.5V 栅极驱动进行了优化，采用 NextPower Superjunction 技术 • 超低QG、QGD、
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