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PMH550UNEA 30V N沟道沟槽MOSFET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:273.24KB | 2025-02-20

笑过就走

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N 沟道增强模式场效应晶体管 （FET） 采用无引线超小型 DFN0606-3 封装 （SOT8001）采用沟槽式MOSFET技术的表面贴装器件（SMD）塑料封装。
2. 特点和优势 低阈值电压 沟槽MOSFET技术 • • 非常快速的切换 • • 静电放电 （ESD） 保护 > 2 kV HBM • • 符合AEC-Q101标准 无引脚超小型和超薄 SMD 塑料封装：0.62 x 0.62 x 0.37 mm
3. 应用 • 继电器驱动器 • 高速线路驱动器 • 低侧负载开关 • 开关电路
4. 快速参考数据 
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