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BXK9Q29-60E N沟道沟槽MOSFET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:343.34KB | 2025-02-12

张玉珍

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N 沟道增强模式场效应晶体管 （FET） 采用小型 SOT8002-3 （MLPAK33） 采用沟槽MOSFET技术的表面贴装器件（SMD）塑料封装。 2. 特点和优势 逻辑电平兼容 • • 非常快速的开关 沟槽MOSFET技术 • • 完全符合 AEC-Q101 标准，温度为 175°C • 侧面可润湿侧翼，用于光学焊料检测 3. 应用 • • 开关电路 • DC-DC转换 LED照明 4. 快速参考数据 
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