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CS5N90A4R数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.39 MB | 2025-12-27

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CS5N90 A4R 是硅基N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造该技术能够降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率开关电路中，以实现系统的小型化和提高能效。封装形式为 TO-252，符合 RoHS 标准。

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