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HXMC80N380F1 海矽美 N沟道碳化硅功率MOSFET
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大小:1.18 MB |
2026-06-10
■ 特性
● 宽禁带碳化硅MOSFET技术。
● 低导通电阻，高阻断电压。
● 低电容，高速开关。
● 低反向恢复电流（Qrr）。
● 易于并联，驱动简单。
● 即使在0V关断时，对寄生导通也具有强抗性。
参数 值 单位DS
800 V
DS(on)_typ@VGS=18V
380 mΩ
D@VGS=15V,TC=25°C
9.3 A
■ 优势
● 降低开关损耗。
● 提高系统开关频率。
● 增加功率密度。
● 减少散热器需求。
● 降低电磁干扰（EMI）。
■ 应用领域 ITO-220AB
● 开关电源。
● 高电压DC/DC转换器。
● 电池充电器。
● 电机驱动器。
● 脉冲功率应用。
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