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AP150P02D -150A -20V P沟道增强型MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:982.65 KB | 2026-07-22

腾震粤电子
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描述
AP150P02D采用先进的沟槽技术，可实现优异的R DS(ON)、低栅极电荷，并在低至2.5V的栅极电压下正常工作。这个
该器件适用于电池保护或其他开关应用。  
主要特性  
VDS = -20V，ID = -150A  
RDS(ON) < 2.5mΩ @ VGS = -4.5V（型号：2.1mΩ）应用程序
电池保护  
负载开关  
不间断电源

 

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