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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 100V,31mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN033-100HL

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:332.6KB | 2023-02-08

张生

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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、31 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN033-100HL

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