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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 60V,9.3mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:320.67KB | 2023-02-08

周棠亨

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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、9.3 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS

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