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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,7.2mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:335.4KB | 2023-02-08

生龙活虎3

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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、7.2 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL

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