LFPAK56D中的N沟道 60V,12.5mOhm、逻辑电平 MOSFET，使用针对重复雪崩增强的 TrenchMOS 技术-PSMN012-60HL

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吕钢格

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LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET，使用针对重复雪崩增强的 TrenchMOS 技术-PSMN012-60HL

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