×

N 沟道 40V,1.9 mΩ、200A 标准电平 MOSFET,采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术,采用 LFPAK56-PSMN1R9-40YSD

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:303.84KB | 2023-02-20

526774

分享资料个

N 沟道 40 V、1.9 mΩ、200 A 标准电平 MOSFET,采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术,采用 LFPAK56-PSMN1R9-40YSD

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !