采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,5 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN5R0-40MLH

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:298.38KB | 2023-02-20

麻酱

分享资料个

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、5 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN5R0-40MLH

数据手册

下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

发评论

相关下载
相关文章

下载排行榜

XL4015+LM358恒压恒流电路图
2024-11-08 148次下载

下载
新概念模拟电路第四册信号处理电路电子书免费下载
2024-10-24 65次下载

下载
PCB布线和布局电路设计规则
2024-11-09 32次下载

下载
智能门锁原理图
2024-11-14 13次下载

下载
JESD79-5C_v1.30-2024 内存技术规范
2024-10-28 10次下载

下载
elmo直线电机驱动调试细则
2024-11-04 9次下载

下载

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,5 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN5R0-40MLH

采用 NextPower 技术的 LFPAK33中的N沟道 25 V 4.15mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R9-25MLC

采用 NextPower 技术的 LFPAK33中的N沟道 30 V 7mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R0-30MLC

LFPAK56中的N沟道 40V,1.1 mΩ、280A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN1R0-40YLD

采用 NextPower 技术的 LFPAK中的N沟道 40V,1.55 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R6-40YLC

采用 NextPower 技术的 LFPAK33中的N沟道 30V,3.15mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R0-30MLC

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK33中的N沟道 25V,5.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK33中的N沟道 25V,3.72mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD

采用 NextPower 技术的 LFPAK中的N沟道 40V,1.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-40YLC

N 沟道 40V,3.5 mΩ、120A 标准电平 MOSFET，采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术，采用 LFPAK56-PSMN3R5-40YSD

LFPAK33中的N沟道 40V,9.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M9R5-40H

LFPAK56E中的N沟道 40V,1 mΩ、290A 标准电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN1R0-40YSH

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK56中的N沟道 40V,1.4 mΩ、240A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-40YLD

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,6.7 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R7-40MLD

LFPAK56中的N沟道 40V,3.3 mΩ、120A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN3R2-40YLD

N 沟道 40V,1.5 mΩ、240A 标准电平 MOSFET，采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术，采用 LFPAK56-PSMN1R5-40YSD

LFPAK56中的N沟道 40V,1.8 mΩ、200A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN1R7-40YLD

LFPAK56中的N沟道 40V,2.6 mΩ、160A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN2R5-40YLD

采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术的 LFPAK56中的N沟道 40V,2.2mΩ、180A 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40YSD

LFPAK56中的N沟道 40V,2.1 mΩ、180A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN2R0-40YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK33中的N沟道 25V,1.81 mΩ、150A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,6.7 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN6R7-40MSD

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,3.3 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN3R3-40MLH

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,3.3 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN3R3-40MSH

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,8.5 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN8R5-40MLD

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,8.5 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN8R5-40MSD

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,4.3 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN4R3-40MLH

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,4.3 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN4R3-40MSH

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,5 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN5R0-40MSH

LFPAK33中的N沟道 40V,5.0mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M5R0-40H

LFPAK33中的N沟道 40V,8.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9M8R5-40H

MBR4040CT肖特基二极管40A电流40V规格介绍

东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线，引领汽车节能新纪元

安世半导体P沟道LFPAK56 MOSFET特性概述

安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规全部测试

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列

英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速开关和改进的dv/it能力

安世半导体宣布推出最低导通阻抗，且优化关键性能的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 优质性能，引领能效革命

Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

宝砾微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N沟道功率MOSFET

东芝推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

Trench 9 LFPAK33 MOSFET驱动高达300W的动力总成系统

MLPAK33 – 3x3 MOSFET的灵活选择

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求

东芝新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载大电流设备

优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE用于PCR仪TEC控制

国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE​用于PCR仪TEC控制，满足项目性能需求

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性

Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

美浦森 新推出 40V 15A-160A HV MOSFET

30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5

耐压40V电子烟专用稳压LDO

现货推荐 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

CISSOID的N沟道功率MOSFET晶体管的性能特点及应用范围

下载排行榜

XL4015+LM358恒压恒流电路图

新概念模拟电路第四册信号处理电路电子书免费下载

PCB布线和布局电路设计规则

智能门锁原理图

JESD79-5C_v1.30-2024 内存技术规范

elmo直线电机驱动调试细则

国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE用于PCR仪TEC控制，满足项目性能需求

美浦森新推出 40V 15A-160A HV MOSFET