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SLM27517能驱动MOSFET和IGBT功率开关

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.20 MB | 2023-02-23

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SLM27517 单通道，高速，低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。使用设计其固有地最小化击穿电 流，可以源汇高峰值电流脉冲转换为电容性负载轨对轨驱动能力非常小传播延迟通常为15ns。可提供4 A电源，5 A接收器12 V VDD电源下的峰值驱动电流能力，广泛应用于BLDC，大功率DC-DC电源，家电，步进驱动器，逆变器等领域。
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