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WSD2067 P+PDFN3X2-8L -20V -3.5A
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2017-07-28
林小辉
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WSD2067 P+PDFN3X2-8L -20V -3.5A
General Description
WSD2067 combines a P-Channel enhancement mode power MOSFET which is produced with high cell density and DMOS trench technology and a low forward voltage schottky diode. the tiny and thin outline saves PCB consumption.
Applications.
z Bidirectional blocking switch; z DC-DC conversion applications; z Li-battery charging;
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