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GaN-FET的关键参数和驱动要求
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2024-09-12
KANA
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GaN在参数方面提供了许多优点。与硅相比，GaN晶体管的Rds (on)值 (漏极到源极的导通电阻)非常低，可以减少传导损失，从而获得更高效的器件。
GaNs总闸极电荷 (在闸极端子上累积的总电荷)要低得多，这可以加快开关速度并减少闸极驱动损耗。
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