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耐辐射保障1.3A、2.5A、半桥 GaN FET 栅极驱动器TPS7H60x3-SP数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:2.59MB | 2024-03-25

杨雪

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　　TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP(额定值 200V ) 、 TPS7H6013-SP ( 额定值 60V ) 和 TPS7H6023-SP(额定值 22V)。

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