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LM74930-Q1理想二极管控制器评估模块
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2024-11-08
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LM74930-Q1 评估模块 (LM74930Q1EVM) 可帮助设计 人员评估具有电源路径开/关控制以及过流、短路和过 压保护功能的 LM74930-Q1 理想二极管控制器的运行 情况和性能。LM74930-Q1 具有 4V 至 65V 的宽输入 电源电压，可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电 的 ECU。LM74930-Q1 可驱动采用共源极拓扑连接的 背对背外部 N 沟道 MOSFET，以实现浪涌抑制功能。 在电源路径中使用了第一个 MOSFET 的情况下，该器 件允许在发生过流和浪涌/过压事件时使用 HGATE 控 制将负载断开（开/关控制）。集成的理想二极管控制 器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二 极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。
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