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LM74502Q1EVM:适用于LM74502-Q1和LM74502H-Q1理想二极管的评估模块

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.4MB | 2024-11-20

王秀珍

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本用户指南介绍了 LM74502Q1EVM 评估模块,该评估模块用于评估具有开关输出的理想二极管控制器 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 的性能。LM74502-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。TI 的 LM74502-Q1 评估模块 LM74502Q1EVM 是一款双通道 EVM,可帮助设计人员在通道 1 和通道 2 中分别评 估 LM74502-Q1 和 LM74502H-Q1 的运行情况和性能。此评估模块展示了 LM74502-Q1 如何驱动外部背对背连 接的 N 沟道 MOSFET 来实现过压和欠压情况下的反极性保护和负载断开特性。LM74502-Q1 的栅极驱动强度为 60μA,适用于需要固有浪涌电流控制的应用。另一方面,LM74502H-Q1 具有峰值为 11mA 的更快速的栅极驱动 器,适用于需要快速导通和关断外部 MOSFET 开关的应用。在待机模式期间使能引脚处于低电平的情况下,外部 MOSFET 和控制器均处于关断状态,并消耗 1μA 的极低电流。

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