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中科微电ZK60G270G型N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）
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2025-10-23
产品概述
- 极低的导通电阻 RDS (ON)
- 低反向转移电容（Crss）
- 100% 雪崩测试验证
- 提升的电压变化率（dv/dt）承受能力
产品参数表
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| 漏源极击穿电压（V_DSS） | 60 | V（伏特） |
| 栅源极阈值电压典型值（V_GS (th)_Typ） | 1.5 | V（伏特） |
| 漏极电流（@V_GS=10V） | 270 | A（安培） |
| 导通电阻典型值（@V_GS=10V） | 1.2 | mΩ（毫欧） |
| 导通电阻典型值（@V_GS=4.5V） | 1.8 | mΩ（毫欧） |
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