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PECVD沉积SiO2和SiN对P-GaN有什么影响

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.31 MB | 2018-12-15

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在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!同时在P-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N空位。

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