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半导体器件C-V特性测试说明

消耗积分:1 | 格式:docx | 大小:0.63 MB | 2022-05-26

策马入林12

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交流 C-V 测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度，掺杂浓度，掺杂分布以及载流子寿命等，通常使用交流 C-V 测试方式来评估新工艺，材料， 器件以及电路的质量和可靠性等。比如在 MOS 结构中， C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度 dox、衬底 掺杂浓度 N、氧化层中可动电荷面密度 Q1、和固定电 荷面密度 Qfc 等参数。
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