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MOSFET datasheet参数特性

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:350 KB | 2011-03-15

刘明

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下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量
一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数：
1 极限参数：
ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。
IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。
PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使
用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升
而有所减额。
VGS ：最大栅源电压。
Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应
避免超过这个温度，并留有一定裕量。
TSTG ：存储温度范围。

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zengsf 2011-03-15
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