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N 沟道 60V,3.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET，采用 SOT78 封装-PSMN4R2-60PL

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:728.19KB | 2023-02-23

刘超

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N 沟道 60 V、3.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET，采用 SOT78 封装-PSMN4R2-60PL
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