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1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:301.3KB | 2024-01-03

张磊

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NSF080120L4A0是一种基于硅碳化物的1200V型电源MOSFET,该电源为通过多氯联苯洞式加压技术而安装的成熟的4pin TO-247塑料包,其极好的RDSon温度稳定性及其快速开关速度使它成为高电压和高电压工业应用的首选产品,如电子车辆充电基础设施、光伏电和机动车驱动器。

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