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30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD17483F4数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.8MB | 2024-04-02

周必镜

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　　该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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