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LMG1205HBEVM用户指南
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2025-01-02
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LMG1205HBEVM旨在评估用于增强型GaN FETs的LMG1205 100半桥驱动器。该EVM的主电路由两个半桥连接的氮化镓(GaN)场效应晶体管组成，由一个LMG1205”驱动。本EVM指南描述了EVM的正确操作和测量，以及EVM的结构和典型性能。此外，包括加电在内的设置指令被描述为在某个调节电压下实现DC-DC转换。
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