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这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽式DMOS技术。这种先进技术经过专门优化,可最大限度降低导通电阻,提升开关性能,并且能承受雪崩和换向模式下的能量脉冲。这些器件非常适合高效率的快速开关应用。
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