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PSMN1RO-80CSE N沟道、80V、0.95 mOhm、MOSFET规格书
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2025-02-13
golabs
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采用CCPAK1212i封装的N沟道增强型MOSFET，经认证温度为175 °C。 Nexperia用于热插拔和软启动的专用MOSFET（ASFET）的一部分。这 PSMN1R0-80CSE 提供非常低的 RDSon 和增强的安全工作区域性能，同时 高可靠性铜夹封装 （CCPAK1212）。 PSMN1R0-80CSE 是对最新“热插拔”控制器的补充 - 足够坚固，可以承受 导通期间具有大量浪涌电流，低导通通，可较大限度地降低 I²R 损耗并提供最佳性能 完全打开时的效率。 2. 特点和优势 完全优化的安全操作区域 （SOA），实现卓越的线性模式操作 低导通电阻，实现低 I²R 导通损耗 • • • CCPAK1212i 封装适用于需要最高性能和可靠性的应用 • 倒置封装，适用于顶部冷却
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