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增强型双N沟道MOSFET DTM8205规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.26 MB | 2021-12-24

tonyhucheng

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移动电源常用的双NMOS，低导通内阻。 VDS=20V,VGS=±12V; Rds(on)=0.023Ω at VGS = 2.5V,Id=5.5A; Rds(on)=0.018Ω at VGS = 4.5V,Id=6.6A;

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