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ISL73041SEH 12V半桥GaN FET驱动器的高剂量率总电离剂量测试
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2023-12-21
李慧
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本报告总结了ISL73041SEH的高剂量率(HDR)总电离剂量(TID)测试结果12V半桥GaN FET驱动器。进行该测试是为了评估的总剂量硬度并提供对偏置灵敏度的估计。零件在偏压下或使用所有引脚进行辐照以HDR(73rad(Si)/s)至150krad(Si)接地。所有辐照之后进行168小时的偏置退火100ºC。ISL73041SEH在低剂量率(LDR)下的额定功率为75krad(Si)，并在根据数据表的限制逐个晶片。ISL73041SEH不适用于HDR。
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