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PL3902 30V N沟道MOSFET资料规格书
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2024-01-05
jf_66255030
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一般说明
PL3902采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作，栅极电压低至2.5V。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
产品概览
Vos 30V
lo (at Vas=10V) 4A
Rs(ON) (at Vas=10V) < 52mQ
Rs(ON) (at Vas =4.5V) < 65mQ
RDs(oN (at Vas =2.5V) < 85mQ
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