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使用LM74502的3种方式使用高边开关驱动器

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:765.49KB | 2024-09-24

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使用P沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的高端开关易于使用拓扑来实现负载连接和断开功能。基于n沟道MOSFET的高端开关优于P沟道MOSFET，因为其热效率更高，解决方案尺寸更小。基于分立电荷泵的N沟道MOSFET栅极驱动器是驱动N沟道MOSFET的传统方式。为了实现过压保护等功能，通常会使用额外的分立元件来检测电源电压，并在过压事件发生时关闭MOSFET。虽然基于分立元件的电路普遍采用N沟道MOSFET来实现高端开关，但代价是元件数量增加、精度下降和故障率上升，这对于安全应用尤其重要。
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