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PXP700-150QS P沟道沟槽MOSFET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:319.9KB | 2025-02-09

王雪

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P 沟道增强模式 MLPAK33 （SOT8002-2） 表面中的场效应晶体管 （FET） - 采用沟槽MOSFET技术的贴装器件（SMD）塑料封装。 2. 特点和优势 沟槽MOSFET技术 • • MLPAK33封装（3.3 x 3.3 mm 封装） • • 低热阻 薄型 0.8 mm 3. 应用 • 有源钳位电路 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 象征 VDS系列 VGS系列 编号 静态特性 RDSon的 参数 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏源开启状态 电阻 条件 Tj = 25 °C VGS = -10 V;坦布 = 25 °C [1] 最小 - -20 - 类型 - - - 麦克斯 -150 20 -1 单位 V V 一个 VGS = -10 V;内径 = -1 A;Tj = 25 °C - 550 700 毫希 [1] 设备安装在 FR4 印刷电路板 （PCB） 上，单面铜，镀锡，用于漏极 6 cm2 的安装垫。
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