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PMDPB55XPA双P沟道沟槽MOSFET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:314.26KB | 2025-02-09

王越建

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双 P 沟道增强模式场效应晶体管 （FET），采用小型无引脚超薄封装 DFN2020-6 （SOT1118） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装，采用沟槽 MOSFET 科技。 2. 特点和优势 低阈值电压 沟槽MOSFET技术 • • 开关速度非常快 • • 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm • 外露式排水垫，具有出色的导热性能 • 符合AEC-Q101标准 3. 应用 • 直流到直流转换 • 高速线路驱动器 • 高侧负载开关 • 开关电路 参数 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 象征 每个晶体管 VDS的 VGS系列 编号 静态特性（每个晶体管） 漏源导通状态 RDSon 电阻 漏源电压 栅源电压 漏极电流 条件 Tj = 25 °摄氏度 VGS = -4.5 V;Tamb = 25 °C [1] VGS = -4.5 V;内径 = -3.6 安;Tj = 25 °摄氏度 最小值 典型值 麦克斯 单位 - -10 - - - - - -20 10 -3.6 V V 一个 50 66 mΩ [1] 设备安装在 FR4 PCB 上，单面铜，镀锡，安装垫，漏极 6 cm2。
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