搜索内容
登录
MOSFET
149人关注
简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
...展开
7854
文章
546
视频
1157
帖子
235138
阅读
关注标签,获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
产品
方案
FDBL0110N60 N - Channel PowerTrench® MOSFET:性能解析与应用探讨
2026-04-17
1061阅读
深入解析FDBL0150N80 N-Channel PowerTrench® MOSFET
2026-04-17
1085阅读
深入解析FDBL0150N60 N-Channel PowerTrench® MOSFET
2026-04-17
1048阅读
FDBL0090N40 N沟道PowerTrench® MOSFET:性能剖析与应用指南
2026-04-17
1012阅读
深入解析FDBL0330N80 N-Channel PowerTrench® MOSFET
2026-04-17
621阅读
ON Semiconductor FDBL0260N100 N-Channel PowerTrench® MOSFET深度解析
2026-04-17
628阅读
FDBL0240N100 N - 通道 PowerTrench® MOSFET 深度解析
2026-04-17
603阅读
深入解析FDBL0210N80 N-Channel PowerTrench® MOSFET
2026-04-17
633阅读
探索 onsemi FDBL0200N100 N 沟道 MOSFET 的卓越性能
2026-04-17
605阅读
探索 onsemi FDBL86063-F085 N 沟道 MOSFET:特性、应用与设计考量
2026-04-17
634阅读
Onsemi FDBL86063 MOSFET:高性能N沟道器件的深度解析
2026-04-17
646阅读
onsemi FDBL86066-F085 MOSFET深度解析
2026-04-17
605阅读
Onsemi FDBL86366-F085 MOSFET:高性能N沟道器件的技术剖析
2026-04-17
621阅读
Onsemi FDBL86210-F085 N沟道MOSFET技术解析
2026-04-17
586阅读
探索FDBL86566 - F085 N - 通道PowerTrench® MOSFET的卓越性能
2026-04-17
584阅读
探索onsemi FDBL9403-F085T6 MOSFET:高性能与紧凑设计的完美结合
2026-04-17
589阅读
探索 onsemi FDBL9401 - F085T6 MOSFET:卓越性能与设计优势
2026-04-17
643阅读
FDD1600N10ALZ N沟道PowerTrench® MOSFET:特性、参数与应用解析
2026-04-17
101阅读
FDD2572/FDU2572 N - Channel PowerTrench® MOSFET:特性、应用与设计要点
2026-04-17
150阅读
深度剖析FDD306P P沟道1.8V指定功率沟槽MOSFET
2026-04-17
127阅读
上一页
10
/
501
下一页
相关推荐
更多 >
IOT
海思
STM32F103C8T6
数字隔离
硬件工程师
wifi模块
MPU6050
UHD
Protues
74ls74
STC12C5A60S2
×
20
完善资料,
赚取积分