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一个4Gbit DDR2 SDRAM高密度系统封装内存模块

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.73 MB | 2022-05-10

杨秀英

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VD2D4G72XB191XX3U6是一个4Gbit DDR2 SDRAM高密度系统封装内存模块。它由5个芯片组成，其中4个4Gbit（64Mx16bit）芯片构成64位，1个芯片用作8位ECC。采用三维封装技术将多层存储电路互连，形成高可靠性、高稳定性和小型化的高密度DDR2存储模块。它特别适用于高可靠性、高性能和高密度的系统应用，如服务器或工作站。
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