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TK160F10N1L N沟道MOSFET英文手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.47 MB | 2024-08-31

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TK160F10N1L是一款N沟道MOSFET，采用了东芝最新的U-MOS-H技术。这种技术使得该器件在低导通电阻和高电流能力之间达到了一个出色的平衡，从而提高了效率和功率密度。这款器件最早于2016年开始商业化生产，并被广泛应用于各种高要求的领域，如汽车电子、开关稳压器、DC-DC转换器以及电机驱动器。

性能亮点

  1. 低导通电阻：TK160F10N1L的典型导通电阻为2.0毫欧（在VGS=10V条件下），这种超低的导通电阻可以显著降低功率损耗，从而提升系统的整体效率，尤其是在高电流应用中更为突出。
  2. 高电流能力：该器件的最大连续漏极电流可达160A，脉冲漏极电流甚至可达到480A。这使得TK160F10N1L能够应对大电流瞬态需求，同时保持稳定的性能，适用于要求苛刻的电力电子应用。
  3. AEC-Q101认证：作为一款通过AEC-Q101认证的MOSFET，TK160F10N1L在汽车电子应用中表现出色。该认证确保了器件在极端环境下的可靠性和耐久性，适合应用于需要高可靠性的汽车系统中。
  4. 低漏电流：其漏极源极截止电流最大仅为10微安（VDS=100V），这意味着在待机模式下，器件的功耗极低，有助于延长电池寿命和提高系统效率。
  5. 增强模式设计：TK160F10N1L的门极阈值电压为2.5V到3.5V，这种设计确保了在低电压下的稳定开关操作，适合各种低压控制应用。
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