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通过LM74912-Q1睡眠模式实现超低静态电流和为常开负载供电
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2024-08-28
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随着人们对汽车应用中功能更丰富的信息娱乐和 ADAS 子系统的需求不断增加，电子控制单元的复杂性逐年增 加。在汽车反向电池保护设计中，选择可驱动 N 沟道 MOSFET（而不是传统 P 沟道 MOSFET）的理想二极管控 制器，可实现更高的热效率、更小的设计尺寸，以及在 ISO7637-2、ISO16750-2 等汽车标准定义的各种汽车瞬态 下具有稳健性能等优势。 通过控制背对背连接的 N 沟道 MOSFET，可以实现浪涌电流限制、过压和过流保护等附加功能，从而提供完整的 电源路径保护。理想二极管还具有低功耗关断模式，允许系统设计人员在汽车系统处于睡眠模式（当车辆熄火或 停车时）时关闭控制器，以满足低静态电流预算要求。但是，即使在车辆熄火时，也必须为一些常开负载供电。 此类负载的示例包括，监测和监控器微控制器以及周围的电源管理元件（例如低压降稳压器、直流/直流转换器和 存储器器件）。 这主要有助于在系统处于睡眠模式时监测关键系统参数，并在系统从低功耗睡眠模式转换到工作模式时加快系统 唤醒速度。本应用简报重点介绍了 LM74912-Q1 睡眠模式特性，该特性通过过压和过流保护等系统级保护为常开 负载供电，有助于保持 5μA 的超低静态电流消耗。
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