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TPS48111Q1EVM：TPS48111-Q1智能高侧驱动器评估模块
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2024-11-15
李雪
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本用户指南介绍了 TPS48111-Q1 智能高侧驱动器评估模块 (EVM)。本文档提供了用于评估 TPS48111-Q1 器件的 EVM 配置信息和测试设置详细信息，还包括 EVM 原理图、电路板布局布线和物料清单 (BOM)。
TPS48111Q1EVM 可对 TI 的 TPS48111-Q1 智能高侧驱动器进行参考电路评估。TPS48111-Q1 的工作电压范围 为 3.5V 至 80V，具有 4A 的强大栅极驱动强度，可在高电流设计中实现开关并联 MOSFET。控制器 TPS48111- Q1 可驱动背对背 N 沟道 MOSFET 并具有一个单独的预充电驱动器 (G)，该驱动器具有独立的控制输入 (INP_G)，可驱动大容性负载。该器件提供配有可调断路器计时器的两级可调过流保护、快速短路保护、准确的模 拟电流监视器输出和远程过热保护功能。
TPS48111Q1EVM 可对 TI 的 TPS48111-Q1 智能高侧驱动器进行参考电路评估。TPS48111-Q1 的工作电压范围 为 3.5V 至 80V，具有 4A 的强大栅极驱动强度，可在高电流设计中实现开关并联 MOSFET。控制器 TPS48111- Q1 可驱动背对背 N 沟道 MOSFET 并具有一个单独的预充电驱动器 (G)，该驱动器具有独立的控制输入 (INP_G)，可驱动大容性负载。该器件提供配有可调断路器计时器的两级可调过流保护、快速短路保护、准确的模 拟电流监视器输出和远程过热保护功能。
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