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UCC21220EVM-009用户指南
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2024-12-07
挽你何用
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UCC21220EVM-009器件设计用于评估UCC21220系列器件，具有4 A源电流和6 A吸电流峰值，用于驱动Si MOSFETs、IGBTs和GaN FETs。UCC21220器件专为要求隔离和可靠性的高压应用而开发，可提供3kV的增强隔离和高达7.8kV的浪涌抗扰度测试，共模瞬变抗扰度(CMTI)大于100 V/ns。该器件具有令人印象深刻的25 ns传播延迟和业界最严格的小于5 ns的通道间延迟匹配，从而实现高开关频率、高功率密度和高效率。
UCC21220器件具有灵活、通用的功能，最高支持5V VCCl和18V VDDA和VDDB，可以用作低端、高端、高端低端或半桥驱动器，支持双PWM输入或单PWM输入。凭借其集成元件、高级保护特性(UVLO、使能和禁用)以及优化的开关性能，UcC21220器件使设计人员能够为企业、电信、汽车和工业应用构建更小、更鲁棒的设计，从而加快上市时间。
UCC21220器件具有灵活、通用的功能，最高支持5V VCCl和18V VDDA和VDDB，可以用作低端、高端、高端低端或半桥驱动器，支持双PWM输入或单PWM输入。凭借其集成元件、高级保护特性(UVLO、使能和禁用)以及优化的开关性能，UcC21220器件使设计人员能够为企业、电信、汽车和工业应用构建更小、更鲁棒的设计，从而加快上市时间。
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